功率半導(dǎo)體模塊
密封在絕緣外殼內(nèi),與導(dǎo)熱背板絕緣。自從將模塊的原理引入電力電子領(lǐng)域以來(lái),已經(jīng)在各種內(nèi)部電路中開(kāi)發(fā)并生產(chǎn)了諸如雙向晶閘管,功率MOSFET和絕緣柵雙極晶閘管(IGBT)的功率半導(dǎo)體模塊。
加快發(fā)展。隨著基于MOS結(jié)構(gòu)的現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的成功開(kāi)發(fā),器件芯片與控制電路,驅(qū)動(dòng)電路,過(guò)壓,過(guò)流,過(guò)熱和欠壓保護(hù)電路以及自診斷電路相結(jié)合,并密封在同一絕緣外殼中。
稱為智能功率半導(dǎo)體模塊,即IPM。為了提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性,它適用于電力電子的高頻,小型化和模塊化的發(fā)展。
在IPM的基礎(chǔ)上,增加了逆變器的一些功能,使得逆變器電路(IC)的所有組件以芯片形式封裝在一個(gè)模塊中,這成為用戶專用的電源模塊(ASPM)。這種模塊更有利。
高頻。為了將具有幾伏和幾毫安邏輯電平的集成電路IC與幾百伏和幾千伏的功率半導(dǎo)體器件集成以滿足電力工業(yè)的發(fā)展,已采用混合封裝方法來(lái)適應(yīng)每個(gè)集成電力電子器件。
模塊(IPEM)。 (2)智能晶閘管模塊:智能晶閘管功率模塊(ITPM)是通過(guò)將晶閘管的主電路和相移觸發(fā)系統(tǒng)以及過(guò)流,過(guò)壓保護(hù)和傳感器封裝在塑料外殼中而制成的。
電路已經(jīng)成為一個(gè)整體。晶閘管是電流控制的功率半導(dǎo)體器件,其需要大的脈沖觸發(fā)功率來(lái)驅(qū)動(dòng)晶閘管,并且模塊難以這樣做。
(3)IGBT智能模塊:20世紀(jì)80年代,成功開(kāi)發(fā)出絕緣柵雙極晶體管IGBT器件。由于IGBT器件具有電壓型驅(qū)動(dòng),低驅(qū)動(dòng)功率,高開(kāi)關(guān)速度,降低飽和電壓,并能承受高電壓,大電流等應(yīng)用,并可由IC驅(qū)動(dòng)和控制,然后開(kāi)發(fā)成集成的IGBTA芯片。
快速二極管芯片,控制和驅(qū)動(dòng)電路,過(guò)壓,過(guò)流,過(guò)溫和欠壓保護(hù)電路,箱式電路和自診斷電路都采用智能IGBT模塊(IPM)封裝在同一絕緣外殼中。它為電力電子逆變器的高頻率,小型化,高可靠性和高性能創(chuàng)造了設(shè)備基礎(chǔ)。
(4)通信電源模塊:目前電源模塊中電力電子技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)是低電壓和大電流。在次級(jí)整流電路中使用同步整流技術(shù)已成為一種有效且低損耗的方法。
由于功率MOSEFT具有低導(dǎo)通電阻并且可以提高電源效率,因此它已經(jīng)應(yīng)用于使用隔離降壓電路的DC / DC轉(zhuǎn)換器。同步整流技術(shù)是通過(guò)控制功率MOSEFT的驅(qū)動(dòng)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)整流功能的技術(shù)。
通常,驅(qū)動(dòng)頻率固定高達(dá)約200kHz。閾值驅(qū)動(dòng)可以通過(guò)交叉耦合或外部驅(qū)動(dòng)的信號(hào)結(jié)合死區(qū)時(shí)間控制來(lái)實(shí)現(xiàn)。
同步整流技術(shù)不僅提高了功率效率,而且為通信電源模塊帶來(lái)了新的進(jìn)步,使同步整流成為廣泛工業(yè)應(yīng)用的主流電源技術(shù)。
- 電話:0755-29796190
- 郵箱:ys@jepsun.com
- 聯(lián)系人:湯經(jīng)理 13316946190
- 聯(lián)系人:陸經(jīng)理 18038104190
- 聯(lián)系人:李經(jīng)理 18923485199
- 聯(lián)系人:肖經(jīng)理 13392851499
- QQ:2057469664
- 地址:深圳市寶安區(qū)翻身路富源大廈1棟7樓